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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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