RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link