Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 28

Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16 9.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.5 6.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81% maior largura de banda

Razões a considerar
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2925 1871

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns