RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
10600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link