RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB

Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 9.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81% выше полоса пропускания
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB Причины выбрать
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 9.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 1871

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB Сравнения RAM

Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lenovo 16GB
Lenovo 16GB
модули RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
модули RAM