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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
61
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,670.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,529.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
517
2468
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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