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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

Pontuação geral
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Razões a considerar
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    6 left arrow 20.6
    Valor médio nos testes
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 44
    Por volta de -69% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    16.7 left arrow 1,892.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    44 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6,181.5 left arrow 20.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,892.9 left arrow 16.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    851 left arrow 4084

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparações de RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Memória RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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Memória RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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Memória RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Memória RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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Memória RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Memória RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Memória RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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Memória RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Memória RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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