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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
20.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
44
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
1,892.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
26
Velocità di lettura, GB/s
6,181.5
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,892.9
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
851
4084
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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