RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Comparar
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Pontuação geral
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1976
3114
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link