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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
57
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
26
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
3865
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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