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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Comparar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
57
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
34
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
3020
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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