RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
57
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
28
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
2312
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link