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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Comparar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2418
2895
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
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