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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
374
Por volta de 94% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
0.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
374
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
0.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
1.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
269
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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