RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
374
Wokół strony 94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
374
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
0.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
1.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
269
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link