RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
374
Autour de 94% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
0.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
374
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
0.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
1.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
269
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link