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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
3285
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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