RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Comparar
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
64
Por volta de 59% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
64
Velocidade de leitura, GB/s
14.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2207
2197
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link