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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
64
左右 59% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
64
读取速度,GB/s
14.6
18.0
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2207
2197
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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