RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.7
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
6.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
24
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1632
2256
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link