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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2356
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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