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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
75
81
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
2,036.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
81
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
5.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
1651
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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