RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
81
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
81
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
1651
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link