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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
75
81
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
2,036.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
81
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
1651
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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