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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
75
Por volta de -168% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
15.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
3465
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
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