RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
75
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
15.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3465
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link