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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1995
3076
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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