RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
50
Por volta de -127% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2159
3075
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link