RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
50
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2159
3075
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link