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Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Kingston KF552C40-16 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Kingston KF552C40-16 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KF552C40-16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
34
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
13.2
11.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3343
2468
Kingston KF552C40-16 16GB Comparações de RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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