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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
60
Por volta de -216% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
19
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
15.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
3435
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
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