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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
60
左右 -216% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
19
读取速度,GB/s
6.8
19.5
写入速度,GB/s
5.4
15.8
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3435
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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