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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
52
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17500
Por volta de 1.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
37
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
9.9
Largura de banda de memória, mbps
17500
19200
Other
Descrição
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2319
2389
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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