RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17500
Wokół strony 1.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17500
19200
Other
Opis
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2319
2389
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link