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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
52
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17500
Autour de 1.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17500
19200
Other
Description
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2319
2389
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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