Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Note globale
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    37 left arrow 52
    Autour de -41% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.9 left arrow 10.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.9 left arrow 8.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 17500
    Autour de 1.1 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    52 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.2 left arrow 13.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.2 left arrow 9.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17500 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2319 left arrow 2389
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons