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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
52
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17500
En 1.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17500
19200
Other
Descripción
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2319
2389
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
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