RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB против Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
52
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17500
Около 1.1 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17500
19200
Other
Описание
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2319
2389
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link