Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

总分
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

总分
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    37 left arrow 52
    左右 -41% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.9 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.9 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 17500
    左右 1.1 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    52 left arrow 37
  • 读取速度,GB/s
    10.2 left arrow 13.9
  • 写入速度,GB/s
    8.2 left arrow 9.9
  • 内存带宽,mbps
    17500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2319 left arrow 2389
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最新比较