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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Comparar
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
14.9
11.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3501
2545
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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