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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pontuação geral
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
52
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
52
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
2472
Kingston KVT8FP-HYC 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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