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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
52
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
52
读取速度,GB/s
14.4
20.5
写入速度,GB/s
9.6
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2472
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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