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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Pontuação geral
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
59
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,855.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,168.0
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,855.7
13.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
680
3337
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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