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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
34
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2962
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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