RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2962
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link