RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2962
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link