RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2890
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link