RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Comparar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
32
Por volta de 9% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
15.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
3579
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link