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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2422
3106
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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