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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
40
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
40
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
9.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
2432
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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