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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
40
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
40
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2432
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HX316C10F/4 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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