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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
40
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3030
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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